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第二百三十九章 千金买马几亿分红被盗取的技术文档（第1页）

电子港。

山海微电芯片研发中心。

“吴哥，你说公司会给咱们什么奖励啊？这可是16纳米的工艺，湾积电也是刚刚才推出来。”

谢盛东推了推身旁的同事，一脸激动道。

二十多岁的年纪，眼神清澈，面孔稚嫩，完全看不出来，这是一位优秀杰出的材料学专家。

“升职加薪呗，员工合同里不是写的清清楚楚吗？”

吴茂哲抬眼看向谢盛东，恹恹回答道，全然一副提不起精神的模样。

起初，吴茂哲刚进研发中心，面对愈发复杂精密的EDA软件、仿真工具、光刻技术和材料工程时，心中极为不适，充满着陌生感。

甚至一度想直接放弃。

只是每当想起母亲之际，他又咬着牙重新振作起来，选择自己最擅长的晶体管结构优化方向，整天埋头苦干，全身心投入到工作中。

在对山海微电的技术文档梳理后，他敏锐发现，要想缩小芯片工艺的制程节点，就得突破四大技术难题：

多重曝光和刻蚀技术！

绝缘层和电极材料！

多分支晶体管布局！

三维集成电路技术！

第一点，能使用专业的曝光机器、刻蚀设备代替；

第二点、需要一位纳米材料学高手，熟知高介电常数材料的特性，并可以完美掌握合成和应用这些材料的技术；

第三点、他决定从鳍状场效应晶体管结构入手，去提升电流控制能力、降低漏电流、加快开关速度，增强芯片的集成度和性能；

第四点、山海微电原本就拥有成熟的三维封装技术（3DIC）！

所以，只要能打破材料和晶体管结构的技术壁垒，就能在短时间内，进一步改进芯片工艺。

事实证明，他赌对了！

16纳米的工艺制程，沿着正确道路，被其轻松捣腾了出来，当年他在MVIDIA都没有取得过如此惊人的科研成果。

当然，这一切离不开谢盛东的帮助，是他大胆采用硅酸盐作为绝缘层材料、多晶硅作为电极材料，大大提高了电子迁移率。

配合三维晶体管结构设计，为芯片尺寸的缩小提供了可能性。

“那你为啥绷着一张脸，升职加薪还不值得庆祝吗？”

谢盛东疑惑道。

“因为……算啦，你不懂。”

吴茂哲欲言又止，对方并不知道，他之所以能进研发中心，全靠大老板的关系。

“要是你能研发出10纳米的芯片工艺，我就把逸彬电子买下来送给你。”

陈河宇这句话，深深烙在他的心底。

想到这里，吴茂哲摇了摇头，随手打开羲和EDA，继续研究起晶体管的结构方案。

他认为，鳍状场效应（FinFET）晶体管结构可以实现更好的电子控制和更小的漏电流，和传统的平面晶体管结构有极大不同，若是再进一步，或许就能把工艺制程缩小到14纳米，亦或是10纳米。

谢盛东见状，微微一笑，同样开始专心工作。

……

“老板，负责研发的核心人员都在会议室。”

何婷波见老板下车，笑吟吟走上前来，低声汇报道。

“不愧是半导体行业深耕多年的技术大牛，这才多长时间？就能拿下16纳米的工艺制程，真是让我出乎意料。”

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